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| sprit 토토사이트 6 월 17 일 | ||||
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토토 사이트. (대통령 : Shoyama Etsuhiko)는 최근 SRAM (정적 무작위 액세스 메모리)에서 0.4V의 전원 공급 장치 전압에서 sprit 토토사이트 할 수있는 회로 기술을 개발했으며, 이는 모바일 휴대 전화 및 모바일 정보 용어에 설치된 시스템 LSI로 사용되는 CACHE 메모리 (온 칩 메모리)로 사용되며 고대 칩을 사용하여 성능을 보여줍니다. 이 기술을 사용하면 시스템 LSI 운영 중에 전력 소비를 크게 줄일 수 있습니다. 모바일 장치의 중심 인 LSI 시스템은 비디오와 같은 대규모 데이터의 고속 처리와 "전력 소비량이 낮은"배터리 수명을 연장 할 수있는 "고급 성능"이 필요합니다. 이러한 요구 사항을 동시에 충족시키기 위해 고속 처리는 주파수를 증가시키는 데 사용되는 반면, 다른 경우에는 주파수가 줄어들고 구동 전압이 감소하여 전력 소비를 억제하고 다른 경우에는 처리 하중에 따라 처리 하중이 제어되며, 여기서 주파수가 낮아지고 구동 전압이 동시에 낮아져 전력 소비를 억제합니다. 시스템 LSI를 구성하는 회로의 CPU (AccalCulativity Circuit)는 sprit sprit sprit sprit sprit sprit 토토사이트 주파수를 낮추어 저전압을 sprit sprit sprit sprit sprit sprit 토토사이트시킬 수 있습니다. 그러나 메모리로 사용되는 SRAM 회로의 경우 구동 전압이 감소하면 SRAM 회로 자체의 sprit sprit sprit sprit sprit sprit 토토사이트 마진이 줄어들고 제조 및 운영 환경의 변화에 영향을받는 것 외에도 큰 운영 마진이 필요합니다. 이러한 이유로, SRAM으로 sprit sprit sprit sprit sprit sprit 토토사이트 주파수가 감소하더라도 저전압 sprit sprit sprit sprit sprit sprit 토토사이트이 어렵다. 이는 시스템 LSI의 전체 전압 감소를 방지하는 요인이었다. 이러한 배경으로 인해 우리 회사는 저sprit 토토사이트 드라이브 SRAM을 개발하여 0.65V 운영으로 SRAM을 달성하기 위해 노력하고 있습니다. 이 기사에서는 sprit 토토사이트 감소를 목표로 다음 두 가지 기술을 개발했습니다.
이번에는이 회로 기술을 사용하여 0.18μm 규칙을 가진 CMOS 기술을 사용하여 32KB 온칩 메모리를 만들었고 0.4V의 구동 전압에서 4.5MHz sprit 토토사이트 및 140μW 전력 소비를 달성했습니다. 전압 0.4V에서 의이 SRAM sprit 토토사이트은 지금까지보고 된 온칩 메모리에서 가장 낮은 구동 전압입니다. 동일한 회로가 1.0V의 구동 전압으로 240MHz에서 sprit 토토사이트하면 전력 소비는 44MW가되므로 0.4V로 설정하면 전력 소비가 1/300으로 줄어들 수 있음을 확인했습니다. 이 회로 기술은 향후 시스템 LSI의 전력을 줄이기위한 중요한 기본 회로 기술로 예상 될 수 있습니다. 이 sprit 토토사이트은 2002 년 6 월 13 일부터 미국 하와이에서 열리는 전자 장치에 관한 국제 회의 인 2002 년 VLSI Circuits 심포지엄에서 발표되었습니다. |
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