토토 사이트. Central Research Institute (Director : Nishino Hisakazu) 및 장치 개발 센터 (Center Length : Umezawa Masaharu)는 최근 토토사이트 마블 마블 마블 마블 마블 마블 마블 HBT (Silicon Geranium ceterobipolar)와 0.18mmocmos (Silicon Geranium ceterobipolar)와 0.18MMOS (Silicon Geranium ceterobipolar thransistor)를 결합한 초 고속 커뮤니케이션 LSI 기술 (토토사이트 마블 마블 마블 마블 마블 마블 마블 바이폴라 CMOS LSI 기술)을 개발했습니다. 반도체) 초당 40 기가비트 클래스에서 처음으로. 토토사이트 마블 마블 마블 마블 마블 마블 마블 HBT는 두 개의 다른 장치를 운반하는 과정에서 문제가 된 문제를 해결함으로써 0.18μm CMO의 고성능 특성을 손상시키지 않으면 서 초당 54 기가비트 (고속 16 : 1 다중 회로 작동¹⁾)가 실현되었습니다.

인터넷 및 휴대 전화의 급속한 확산으로 인해 광학 및 무선 통신 시스템에서 전송 된 데이터의 양은 전송 된 데이터의 용량과 속도를 점차 증가하고 있습니다. 동시에 통신 시스템에 사용되는 전자 장치의 고속 성능이 크게 개선 될 필요가 있습니다.
토토사이트 마블 HBT는 초고속 전자 장치로 개발되었으며 컷오프 주파수²⁾200 개가 넘는 Gigahertz의 잠재력이 높습니다. 그러나이를 통신 LSI로 채택하려면 입력/출력 신호 처리, 신호 동기화 및 고성능 CMOS가 소유 한 진단과 같은 기능도 필요합니다. 따라서 초고속 지역의 동일한 칩에있는 두 가지 기능과 장치를 결합한 토토사이트 마블 마블 바이폴라 CMOS LSI 기술은 향후 초고속 전자 장치를위한 필수 기술이었습니다. 그러나 지금까지 매우 높은 속도의 토토사이트 마블 마블 HBT가 고급 고성능 CMO와 통합 될 때
(1) 토토사이트 마블 마블 HBT가 고온 공정에서 형성되기 때문에 열 이력으로 인해 CMOS의 특성이 악화되기 때문에
(2) 토토사이트 마블 마블 결정 제조 공정에 사용되는 수소 클로라이드 (HCL)는 토토사이트 마블 마블 HBT의 결정 품질을 악화시킵니다³⁾4185_4225

따라서 이번에는 이러한 문제를 해결하기 위해 토토사이트 마블 바이폴라 CMOS LSI 기술을 개발했습니다. 이번에 개발 된 기술의 특징은 다음과 같습니다.
(1) CMOS 특성의 저하 억제 : 0.18μm CMOS 제조 공정을 기반으로 한 새로운 혼합 로딩 프로세스 개념을 개발하여 HBT에 필요한 단계를 추가했습니다. 또한 토토사이트 마블 HBT 형성에 필요한 CVD 프로세스⁴⁾, 어닐링 과정⁵⁾의 열 기록을 줄임으로써 CMOS 성능의 저하가 억제되었습니다.
(2) 토토사이트 마블 HBT의 결정 품질 저하 억제 : HCL 가스가없는 LPCVD 방법 (저하 화학 증기 증착 방법)은 토토사이트 마블 HBT의 결정 품질 저하를 야기했습니다. 결과적으로, 좋은 결정 성을 유지하면서 토토사이트 마블 HBT의 결정 형성 (선택적 에피 택셜 성장)을 수행 할 수있게되었다.

이 토토사이트 마블 바이폴라 CMOS LSI 기술을 사용하여 생성 된 토토사이트 마블 HBT는 초당 최대 54 기가비트의 최대 속도로 고속 16 : 1 멀티플렉싱 회로 작동을 달성합니다. 2 등급 당 40 기가비트에서 토토사이트 마블 HBT 및 CMOS를위한 혼합로드 된 LSI 기술의 확립을 보여준 것은 이번이 처음입니다. 또한, 토토사이트 마블 HBT의 고속 성능을 평가 한 결과, 컷오프 주파수는 145GHz이고 최대 진동 주파수는 최대입니다.⁶⁾172GHz의 고속 특성을 달성했습니다.

현재 2 등급 당 40 기가비트로 개발 된 토토사이트 마블 바이폴라 CMOS LSI 기술은 초고속 통신을위한 전자 장치 개발을 촉진하는 기본 기술입니다. 앞으로, 우리는 대량 생산을 진행하고 핵심 광 전송 시스템 및 대용량 무선 통신 시스템뿐만 아니라 셀룰러 종말 및 무선 LAS와 같은 RF 장치에 적용하기 위해 차세대 IT 기술을 지원하는 초고속 고성능 고성능 장치 기술로서이를 수행 할 계획입니다.
이 결과는 2002 Bipolar/Bicmos Circuits and Technology Meeting에서 9 월 30 일부터 미국 몬트레이에서 개최되는 바이폴라 장치 회로에 관한 국제 회의에서 발표 될 예정입니다.