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2002 년 10 월 7 일

새로운 갈륨-소재 물질 인 Gainnas와의 초고속 광학 통신을위한 저렴한 반도체 레이저를 성공적으로 생산했습니다

고온파주 토토사이트 10 기가비트/초의 작동 확인 80


토토 파주 토토파주 토토사이트. Central Research Institute (Director : Nishino Toshikazu)는 최근 새로운 갈륨-아세포 기반 재료, 갈륨, 인듐, 질소 및 비소 (게인)를 사용하여 초고속 광학 통신 반도체 레이저를 사용하여 활성 층으로서 10 기기의 10 기기를 성공적으로 작동시켰다. 8,500 시간 이상 저하되지 않았습니다. 과거의 통신 반도체 재료에 사용 된 고가의 인듐-포스포로스 (INP) 재료와 비교하여 재료 비용이 크게 줄어들 수 있으며, 향후 액세스 시스템을 대표하는 광학 통신 시스템은 상당히 감소 될 것으로 예상됩니다.
이러한 결과 중 일부는 경제 무역 산업부가 의뢰 한 프로젝트 인 실제 컴퓨팅 파트너십에 참여하여 개발되었습니다.

Gainnas는 1995 년 토토 파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토사이트에 의해 고속 및 고온 안정 작동파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토사이트 매우 효율적인 갈륨 아르 세나이드 기반 반도체 레이저의 새로운 재료로 독립적으로 개발되었으며 1997 년에 동일한 재료를 사용하여 프로토 타입 표면 방출 레이저의 결과가 발표되었습니다.
이 물질은 질소 (N)와 갈륨, 인듐 및 비소 (게인)를 혼합하여 생산되지만, 질소 혼합 비율을 제어함으로써 레이저 진동 파장을 조정할 수 있으며, 이점은 고온 환경파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토사이트도 안정적으로 작동하는 레이저를 달성 할 수 있다는 것입니다. 고온파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토사이트의 안정적인 작동은 광원에 대한 레이저의 온도 조절기를 절약하고 광 통신 시스템의 비용 절감에 기여할 수 있습니다. 또한, 통신을위한 기존의 반도체 레이저 (파장 1.3 μm 밴드)가 비싼 INP 기판에 형성되었지만, 이득은 큰 직경을 만들 수 있으며 GAAS 기판파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토파주 토토사이트 제조 될 수 있으며, 이는 INP 기판보다 저렴하며 반 조성기 레이저 단독의 비용을 줄입니다.

이번에 개발 된 Crystal Growth 기술의 특성은 다음과 같습니다.
(1)
분자 빔 에피 택시 (MBE)를 사용하여 게인 나스 결정을 준비 하였다. 우리는 새로운 재료의 최적의 성장 온도 및 원자재 공급 조건을 찾고 고품질 결정을 생산할 수 있습니다.
(2)
게인 결정에 남아있는 약간의 결정 결함을 제거하기 위해, 열처리를 고온파주 토토사이트 수행 하였다. 가공 온도 및 처리 시간은 이제 더 높은 품질의 결정을 얻기 위해 제어 할 수 있습니다.

이번에 개발 된 기술을 사용하여, 우리는 10 기가비트/s 작동을 갖춘 에지 방출 반도체 레이저를 프로토 타입으로, 결과적으로 80 ° C파주 토토사이트 10 기가비트/s의 변조 작업을 달성했으며, 70 ° C 또는 더 높은 후 8,500 시간 동안 악화되지 않았 음을 확인했습니다.
또한 이번에는 초당 10 기가비트파주 토토사이트 고온 안정 작동을 확인했지만 초당 최대 40 기가비트의 속도를 높이고 실질적인 사용을 목표로 주변 기술을 계속 개발할 계획입니다.

이 결과는 10 월 1 일 18 일 IEEE 국제 반도체 레이저 회의파주 토토사이트 발표되며, 9 월 29 일부터 독일 (Garmisch-Partenkirchen)파주 토토사이트 개최됩니다.

■ 참고
(1) 분자 빔 에피 택시 방법 : 매우 높은 진공 상태파주 토토사이트 분자 빔 상태파주 토토사이트 원료를 공급함으로써 결정 성장 방법. 공급 된 원료 사이에 화학 반응이 발생하지 않기 때문에 고품질 결정을 생성 할 수 있습니다. 이득의 결정 성장에는 매우 효율적인 질소 공급원이 필수적이며, 혈장 발전된 원자 질소가 사용됩니다.


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