멤버십토토 Hitachi : 뉴스 릴리스 : 2002 년 12 월 27 일

멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십토토 사이트 Central Research Institute (Director : Nishino Toshikazu) 및 장치 개발 센터 (중심 길이 : Umezawa Masaharu)는 최근 "100nm 소형화 된 멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십토토 HBT (실리콘 게르마늄 헤테로이비 프로토 트 트랜지스터)"및 "0.13μm 멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십토토 BICMOS (멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십멤버십토토 HBT 및 CMOS (Complesmentary Metal rooge)와 혼합 된 장치)를 개발했습니다. 세계에서 가장 빠른 작동 시계 주파수는 80 Gigahertz를 사용하여 미래의 초고속 통신을위한 필수 장치 기술이며, 광학 전송 및 밀리미터 밴드 무선 통신 IC를위한 차세대 LSI의 실현을위한 기술입니다.

인터넷과 휴대폰의 빠른 확산으로 고화질 이미지 및 비디오와 같은 데이터 통신의 필요성이 증가하고 있으며 광학 및 무선 통신 시스템에서 전송되는 데이터의 양이 증가하고 있습니다. 멤버십멤버십토토 HBT는 이러한 통신 시스템에서 신호 처리에 사용되는 초고속 전자 장치로 개발되고 있지만 용량이 점점 커지고있는 통신 시스템을 수용하기 위해 CMOS가 혼합 된 "고성능"멤버십멤버십토토 Bicmos의 개발은 멤버십멤버십토토 HBT의 "고속 성능 개선"이 필요할뿐만 아니라 시스템 비용을 줄여야합니다. 그러나 다음과 같은 문제는 이제 기존의 장치 구조 및 프로세스 기술의 한계에 도달했습니다.

(1)

멤버십토토 HBTS 속도를 높이려면 추가 소형화가 필수적이지만, 이는 기생 저항을 증가시켜 작동 속도 성능을 악화시키고 장치 특성의 변화를 증가시킵니다.

(2)

멤버십토토 Bicmos는 멤버십토토 형성 과정의 높은 열처리로 인해 CMOS의 특성이 악화되어 형성됩니다.

그래서 우리는 이러한 문제를 해결하기 위해 소형화 된 멤버십토토 HBT 및 0.13μm 멤버십토토 BICMOS 기술을 개발했습니다. 개발 된 기술의 특징은 다음과 같습니다.

(1)

멤버십토토 HBT의 기생 저항성 및 특성 변화 감소 : 우리는 상단을 향해 확장되는 깔때기 모양의 구조를 갖는 이미 터 전극을 개발했으며, 이미 터베이스의 분리 거리를 줄이는 구조를 가지고 있습니다. 이는 이미 터 저항 및 기본 저항을 감소시키고 트랜지스터 특성의 변화를 감소시킵니다. 이 기술은 100nm의 이미 터 폭을 달성합니다.

(2)

멤버십토토 HBT 및 0.13μm CMOS의 조합 : 멤버십토토 HBT와 0.13μm 플랫폼 CMOS를 혼합 할 때, 저항적 인 산화물 필름을 사용하여 CMOS의 성능 저하를 억제하는 데 사용됩니다¹⁾저온에서 에피 택셜 성장 인터페이스 세정을 가능하게하는 데 사용됩니다. 결과적으로, 멤버십토토 에피 택셜 층을 형성 할 때, 0.13μm CMO의 장치 특성은 더 이상 변경되지 않아 멤버십토토 HBT가 혼합되지 않을 때와 동일한 CMOS 장치 특성 및 신뢰성을 초래합니다.

이 기술은 100nm 소형 멤버십토토 HBT가 최소 게이트 지연 시간이 4.9ps 인 ECL 회로를 가질 수 있도록합니다.²⁾³⁾)가 실현되었습니다. 또한 0.13μm 시그 비 모스로 컷오프 주파수는⁴⁾122GHz, 최대 진동 주파수⁵⁾178GHz의 고속 멤버십토토 HBT가 있으며 0.13μm 플랫폼 CMO에 혼합되어 있습니다.

새로 개발 된 소형 멤버십토토 HBT 및 0.13μm 멤버십토토 Bicmos 기술은 40GB/s를 초과하는 전송 속도와 대규모 용량 통신 시스템을 갖춘 광학 전송 시스템과 같은 차세대 IT 기술을 지원하는 초고속 고성능 고성능 장치의 기본 기술입니다. 1 세대의 멤버십토토 HBT 또는 0.18μm 멤버십토토 Bicmos를 위해 이미 개발 된 기술로서 2003 년 2 분기에 대량 생산할 계획입니다.
이 결과는 12 월 9 일부터 미국 샌프란시스코에서 개최되는 전자 장치에 관한 국제 회의 인 2002 년 국제 전자 장치 회의에서 발표 될 예정입니다.

[참고]

1)

낮은 습도 산화물 필름 : 고밀도 혈장 반응을 사용하여 형성된 산화물 필름. 기존의 열분해 반응을 사용하여 화학 증기 증착 방법에 의해 형성된 산화물 필름과 비교하여, 필름 내에 함유 된 물 분자의 양은 더 작다. 멤버십토토 층의 에피 택셜 성장 전에 수행 된 계면 세정 동안, 에피 탁상 성장을 억제하는 계면 산화 옥사이드 필름의 형성은 억제 될 수있어 저온에서 에피 택셜 성장을 허용한다.

2)

ECL 회로 : 이미 터 커플 링 로직 회로

3)

정적 유형 주파수 분배기 : DC에서 고주파수까지 넓은 작동 주파수 범위를 가진 주파수 분배기. 특정 주파수 도메인에서만 작동하는 동적 주파수 분배기와 비교하여 시스템의 적용 범위가 더 넓습니다.

4)

컷오프 주파수 : 요소가 전류를 증폭시킬 수있는 최고 주파수에서 디지털 회로의 고속 작동 성능의 표시기.

5)

최대 진동 주파수 : 요소가 전원을 증폭시킬 수있는 최고 주파수에서 아날로그 회로의 고속 작동 성능을 나타내는 인덱스.