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2003 년 12 월 2 일
반도체 및 스토리지의 구조 설계에 적합
개발 된 "나노 박막 결합 시뮬레이션 기술"
-비 유사한 재료를 라미네이션 할 때 발생하는 "화합물"및 "스트리핑"의 예측-
토토 사이트. Machinery Research Institute (Machinery Research Institute라고 불리는 Miki Kazukatsu 이사)는 최근에 세미 컨덕터 및 보관소에 적용되는 나노 미터 (1/1 백만 밀리미터)에 대한 초소형 필름 구조에서 이종 자료의 인터페이스에 참여할 것이라고 발표했습니다.*1)의 상태를 정확하게 예측하는 "나노 박막 접합 시뮬레이션 기술"을 성공적으로 개발했습니다.
이 기술은 원자 사이의 힘의 변화로 접합 인터페이스에서 원자 전하 상태의 변화를 시뮬레이션하여 필요한 계산 시간을 크게 줄일 수 있습니다. 이를 통해 수천만 개의 원자 규모로 많은 원자를 처리 할 수 있으며, 실험없이 기존의 시뮬레이션에서 어려운 이종 재료를 쌓을 때 발생하는 "불리한 화합물"및 "스트리핑"과 같은 다양한 문제를 예측할 수 있습니다.
앞으로 Mechanical Research Institute는이 손오공 토토사이트을 사용하여 차세대 고급 장치의 개발 기간을 단축하고 고성능 장치의 개발을 가속화하기 위해 기여할 것입니다.
반도체 및 저장 필드에서, 차세대 장치의 기본 구조는 나노 미터 (몇 개의 원자에서 수십 개의 원자 층)에 대한 박막의 적층 구조이다. 그러나, 적층 될 박막 재료의 조합에 따라, "원치 않는 화합물"및 "스트리핑"과 같은 문제는 결합 계면에서 발생합니다.
우리는 이전에 실험을 통해 이러한 문제를 조사했지만, 개발 기간을 단축하고 장치의 높은 기능성을 가속화하기 위해, 높은 정확도로 현상을 예측할 수있는 나노 틴 필름 접합 시뮬레이션 손오공 토토사이트을 가속화하기 위해, 높은 기능이 필요했습니다. 그러나, 나노 틴 필름의 결합 인터페이스를 조사하기 위해, 다른 재료의 결합으로 인한 전하 상태 변화*2)| 계산해야하며 하나의 원자에는보다 자세한 계산이 필요합니다. 따라서 대규모 병렬 컴퓨터를 사용하더라도 "불리한 화합물"및 "스트리핑"과 같은 현상을 예측하는 것은 어려웠습니다.
이러한 배경으로 인해 Mechanical Research Institute는 나노-얇은 필름의 결합 인터페이스에서 발생하는 "원치 않는 화합물"및 "스트리핑"을 정확하게 예측하는 새로운 원자 시뮬레이션 기술을 개발했습니다. 이 기술의 내용은 다음과 같습니다.
먼저, 첫 번째 단계로서, 우리는 원자 사이의 힘의 변화로 접합 인터페이스에서 원자 전하 상태의 변화를 모델링합니다. 이는 상태 전하 변화를 직접 계산할 필요가 없어 계산 시간을 크게 줄이고 많은 원자를 처리 할 수있게합니다.
다음으로, 두 번째 단계로서, 우리는 원자 사이의 힘을 매개 변수로 사용하여 계면 근처의 수천만 개의 원자의 거동을 시뮬레이션합니다.
기계적 연구 연구소는 반도체의 차세대 고유 전기 상수 재료 및 실리콘 기질의 후보 인 산화물 사이의 접합 인터페이스에서 원자의 확산 거동을 분석하기 위해 개발 한 시뮬레이션 손오공 토토사이트을 적용했습니다. 결과적으로, 가장 가까운 육각형 격자 구조를 갖는 실리콘 (111) 결정 표면은 인터페이스 안정성이 높을수록 반도체 장치에서 통상적으로 사용 된 실리콘 (001) 결정 표면보다 인터페이스 화합물을 형성하기가 어렵다.*3)입증되었습니다. 앞으로 Mechanical Research Institute는이 손오공 토토사이트을 나노 디바이스에 사용되는 다양한 기능적 박막 재료에 적용 할 계획입니다.
또한 Mechanical Research Institute는이 손오공 토토사이트을 12 월 1 일부터 12 월 3 일까지 우리 연구소에서 개최 할 미세 엔지니어링에 관한 국제 심포지엄 인 ISMME2003에 소개 할 것입니다.*4)에서 발표됩니다.
| [참고] |
| *1) |
이종 재료의 조인트 인터페이스 |
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다른 재료의 박막을 쌓을 때, 다른 유형의 재료가 접촉하는 경계를 나타냅니다. |
| *2) |
다른 재료의 결합으로 인해 다양한 충전 상태 |
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다른 재료의 관절은 변형과 충전 상태의 변화를 유발합니다. 이 현상을 시뮬레이션하려면 양자 기계적 계산이 필요하며 계산량이 빠르게 증가합니다. |
| *3) |
실리콘 (001) 결정 표면보다 실리콘 (111) 결정 표면에서 인터페이스 안정성이 더 높은 현상, 계면 화합물을 형성하기가 어렵다 |
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기계적 연구 연구소 (001) 결정 평면의 경우 700 ° C에서 두께가 약 2 나노 미터 인 인터페이스 화합물은 IS입니다. |
| *4) |
ISMME2003 |
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국제 기계 공학에 관한 국제 심포지엄 2003. |
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