이 뉴스 릴리스의 정보 (제품 가격, 제품 사양, 서비스 세부 정보, 출시일, 연락처 정보, URL 등)는 공지 날짜입니다. 정보는 통지없이 변경 될 수 있으며 검색 날짜와 다를 수 있습니다. 최신 문의는 다음과 같이 문의하십시오.연락처 목록를 참조하십시오.

  토토 사이트. (사장 겸 CEO : Shoyama Etsuhiko; Heiginafter : Hitachi)는 Elpida Memory Co., Ltd. (사장 겸 CEO : Sakamoto Yukio; Highinafter : Elpida)와 협력하여 모든 기억 세포에 대한 전이 특성의 변형 분포를 계산하고 칩 888토토에 정량적으로 평가했습니다.*1고정 된 888토토 기술. 기가비트 클래스 드람은 장치 특성의 변화를 크게 증가 시켰으며,이를 고려한 고성능 드람 칩을 888토토하기가 어렵다고 예측된다. 새로 개발 된 디자인 기술은이 문제를 극복하며 기가비트 등급 DRAM 디자인에 필수적입니다.

빠르게 개발되는 정보 학회에서 DRAM은 고급 서버에서 개인용 컴퓨터, 디지털 홈 어플라이언스 및 모바일 정보 장치에 이르기까지 다양한 정보 장치에 설치되어 일상 생활에 필수적입니다. 이러한 장치의 성능을 향상 시키려면 DRAM 성능과 비용 절감을 지속적으로 개선해야합니다. 이전에는 DRAM을 구성하는 트랜지스터의 소형화를 통해 DRAM의 고성능 및 비용 절감이 달성되었습니다. 그러나 향후 DRAM을 계속 소형화하면 트랜지스터의 특성이 증가하여 DRAM 회로를 888토토하기가 어렵습니다. 이는 트랜지스터의 특성이 다양하고 DRAM의 판독 신호의 양이 결정됨을 의미합니다.*2. 노이즈가 읽기 신호량을 초과 할 때 결함이있는 비트가 발생하기 때문에 DRAM 회로 888토토는 트랜지스터의 특성 변화와 읽기 신호량을 상세하게 고려해야합니다. 이전에는 결함이있는 비트의 발생을 줄이기 위해 트랜지스터 특성이 가장 낮은 메모리 셀을 가정하는 조건 하에서 회로 888토토가 수행되는 888토토 방법 (최악의 888토토)이 채택되었습니다. 그러나 고려해야 할 몇 가지 특성이 있으며, 이들 모두에 대한 최저 성능 값을 결합한 메모리 셀을 가정해야합니다. 따라서 특성의 변화가 증가하면 최악의 888토토에 사용 된 메모리 셀 성능이 훨씬 낮아지고 회로 888토토가 극도로 열악한 조건에서 충분한 읽기 신호량을 보장하면 고성능 칩이 얻어지지 않으며 DRAM 칩 888토토는 실패합니다. 또한, 최악의 888토토에 사용되는 메모리 셀은 실제 칩에서 발생할 확률이 매우 낮으므로 예측과 실제 성능 사이의 일관성이 낮다는 문제가 발생합니다.
  이러한 이유로, 기가비트 클래스 드라마 칩을 실현하려면 증가 할 것으로 예상되는 특성의 변화 문제를 해결하는 것 외에도 실제 칩과 일치하는 새로운 회로 888토토 기술의 개발이 필요합니다.

  이러한 배경으로 인해 Hitachi와 Elpida는 새로운 DRAM 디자인 기술 개념을 고안하여 칩의 모든 메모리 셀에 대한 트랜지스터 특성의 변동 분포를 정확하게 계산하고 888토토합니다. 새로운 DRAM 디자인 기술의 세부 사항은 다음과 같습니다.

(1) 통계적 분포를 사용한 모든 메모리 셀의 특성 모델링

정규 분포와 같은 통계 분포, 각 메모리 셀의 트랜지스터 특성의 변화를 재현하고 칩의 모든 메모리 셀의 읽기 신호량 및 노이즈의 양을 계산하는 트랜지스터 특성 모델링. 이를 통해 실제 칩에서 발생할 것으로 예상되는 최악의 메모리 셀을 찾을 수 있습니다. 적용된 분포 모델은 실제 장치의 물리적 현상을 기반으로하며 실제 칩의 특성을 높은 정확도로 재현합니다.

(2) 총 결함 비트 수를 기반으로 회로 구성의 정량적 평가

(1)에서 얻은 메모리 셀 특성으로부터, 실제 칩에서 발생할 것으로 예상되는 총 결함 비트의 총 수는 계산 될 수 있으며, 888토토된 회로 구성을 정량적으로 평가했습니다.

  이번에는 888토토 방법을 사용하여 DRAM 칩을 888토토하고 총 결함 비트를 계산 한 후 동일한 조건에서 생성 된 실제 칩과 비교하여 측정 오류 범위 내에서 일치하는 총 결함 비트를 제안 된 방법의 유효성을 확인했습니다. 또한,이 888토토 방법을 사용하면 요소의 여러 변형을 갖는 메모리 셀의 특성을 동시에 재현 할 수 있습니다. 따라서 모든 결함 비트의 원인을 분석함으로써 결함이있는 비트를 줄이기위한 가장 효율적인 재 888토토 지침을 얻는 것도 가능합니다.

이 기술은 2 월 9 일 미국 샌프란시스코에서 2 월 6 일부터 개최 된 2005 년 IEEE 국제 솔리드 스테이트 서킷 컨퍼런스 (ISSCC 2005)에서 발표되었습니다.

용어

*1	DRAM : 동적 랜덤 액세스 메모리에 대한 약어. 메모리 유지 (새로 고침) 작업이 필요한 쓰기 및 읽기 메모리. 메모리 셀은 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터를 사용하여 이진 정보를 저장합니다.
*2	읽기 신호량 : DRAM에서 충전은 메모리 셀의 커패시터에 저장되며, 정보가 저장되며, 메모리 셀에서 데이터 라인에 대한 작은 신호의 양이 저장됩니다. 이 작은 신호는 Sense 증폭기 회로에 의해 증폭되고 이진 정보로 외부에서 출력됩니다.

연락처 정보

토토 사이트., Central Research Institute 기획 사무소 [담당자 : Uchida, Kinoshita]
1-280 Higashi-Keigakubo, Kokubunji City, 도쿄 185-8601
전화 042-327-7777 (다이얼 인)

Elpida Memory Co., Ltd. IR & Market Communications GR. [담당자 : 타카 하시, 코바야시]
2-2-1 Yaesu, Chuo-Ku, 도쿄 104-0028
전화 03-3281-1648 (다이얼 인)

PDF 파일을 보려면 Adobe Systems Incorporated를 클릭하십시오.Adobe (R) Reader (R)필요합니다.