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토토사이트 토토카페 사이트. (Shoyama Etsuhiko; Heighinafter : 토토사이트 토토카페 사이트)는 최근 Elpida Memory Co., Ltd. (사장 및 CEO : Sakamoto Yukio; Heignafter : Elpida)와의 합작 투자를 시작했습니다. Elpida Memory Co., Ltd. 0.4V에서.*1의 회로 방법을 제안했습니다. 이 방법은 2 개의 DRAM 셀을 사용하여 1 비트 토토사이트 토토카페를 저장하는 트윈 셀 시스템을 사용하여 토토사이트 토토카페 보유 시간이 향상되고 작동 전압이 낮은 고속 쓰기/읽기 작업이 가능합니다. 이 기술은 차세대 모바일 토토사이트 토토카페 장치의 저전력 메모리 장치에 용량을 늘리는 이점을 가진 DRAM을 적용하는 기본 회로 방법입니다.

  모바일 토토사이트 토토카페 장치의 메모리를위한 반도체 장치는 기능 및 컨텐츠가 증가함에 따라 메모리 용량을 높이고 전력 소비를 줄여 배터리 수명이 길어야합니다. 현재 SRAM (정적 랜덤 액세스 메모리)은 주로 휴대 전화 메모리에 사용됩니다.*2저전력 소비의 장점은 있지만 대형 셀 영역으로 인해 용량을 늘리고 전원 공급 장치 전압 감소를 제한하기가 어렵고 향후 모바일 토토사이트 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 장치의 메모리 장치로서 문제가 있습니다. 대조적으로, DRAM은 용량을 높이는 데 적합하며 일부 모바일 토토사이트 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 장치의 메모리로 채택되기 시작했습니다. 그러나 DRAM의 문제점은 메모리 셀로 쓰기 전압 (비트 라인 전압)을 줄이면 토토사이트 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 토토카페 보유 시간이 단축되고 메모리 셀 트랜지스터의 제어 전압 (워드 라인 전압)에 대한 고전압의 필요성이 전력 소비를 줄이기가 어렵다는 것입니다.

  이러한 배경으로 인해 토토 사이트와 Elpida는 2 개의 DRAM 셀을 사용하여 1 비트 토토사이트 토토카페를 저장하는 트윈 셀 시스템을 사용하는 저전력 DRAM 회로 시스템을 제안했습니다. 제안 된 회로 시스템의 특징은 다음과 같습니다.

(1) 비트 라인 토토사이트 토토카페압 방법

  우리는 1 비트 토토사이트 토토카페를 저장하기 위해 2 개의 DRAM 셀을 사용하는 트윈 셀 시스템을 채택했습니다. 이 방법을 사용함으로써, 단일 셀 방법에서와 동일한 수준으로 DRAM 셀의 토토사이트 토토카페 보유 시간을 유지하면서 비트 라인 전압을 줄일 수 있음이 밝혀졌습니다.*3. 시뮬레이션 결과는 트윈 셀 어레이의 비트 라인 전압이 0.4V로 감소 되더라도 단일 셀 어레이의 비트 라인 전압과 비교할 수 있음을 보여 주었다. 이 결과는 토토사이트 토토카페 메모리 셀 어레이의 전력 소비가 약 60%감소 될 수 있음을 보여줍니다.

(2) 워드 라인 하강 전압 방법

 전통적으로 DRAM은 커패시터에 충분한 전하를 저장하기 위해 높은 워드 라인 전압이 필요했습니다 (높은 레벨). 트윈 셀 어레이는 '1'토토사이트 토토카페를 읽는 데 필요한 충전량을 줄여 단어 라인 전압이 줄어 듭니다*4. 시뮬레이션은 단어 라인 전압이 3V에서 1.8V로 감소 될 수 있음을 보여 주었다. 이 결과는 단어 라인 전압 생성기의 토토사이트 토토카페이 약 70%감소 될 수 있음을 보여줍니다.

이 기술은 낮은 작동 전압에서 개선 된 토토사이트 토토카페 유지 시간과 고속 쓰기/읽기 작동을 달성합니다. 시뮬레이션은 DRAM 메모리 셀 어레이의 전압 소비가 60% 감소 될 수 있고 워드 라인 전압 생성 회로의 전력은 70% 감소 될 수 있음을 보여 주었다. 이것은 차세대 모바일 토토사이트 토토카페 장치의 저전력 메모리 장치로서 용량 증가의 장점을 가진 DRAM을 적용하는 기본 회로 방법입니다.

  이 결과는 2005 년 6 월 16 일부터 교토에서 개최되는 통합 토토사이트 토토카페에 관한 국제 회의 인 VLSI Circuits의 2005 년 심포지엄에서 발표 될 것입니다.

용어

*1	DRAM : 동적 랜덤 액세스 메모리 A 메모리 유지 (새로 고정) 작업이 필요한 쓰기 및 읽기 메모리. 메모리 셀은 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성되며 충전 유무에 관계없이 '1'또는 '0'토토사이트 토토카페를 저장
*2	SRAM : 정적 임의의 액세스 토토사이트 토토카페 A 토토사이트 토토카페 유지 (새로 고정) 작동이 필요하지 않은 쓰기 및 읽기 토토사이트 토토카페.
*3	트윈 셀 시스템에서 '1'및 '0'또는 '0'및 '1'의 보완 토토사이트 토토카페는 두 가지 메모리 셀에 저장되며 두 커패시터의 축적 전하의 차이가 읽습니다. 이것은 누출 전류의 효과가 작으며 토토사이트 토토카페 보유 시간이 기존의 단일 세포 DRAM보다 3 배 더 길다는 것을 보여줍니다.
*4	'1'및 '0'에 대한 토토사이트 토토카페 작성은 '1'토토사이트 토토카페를 읽는 데 필요한 충전량을 줄여 단어 선 전압이 줄어 듭니다. 또한, 커패시터의 공통 전극 (플레이트)을 구동함으로써 단어 라인 전압이 줄어든 '1'토토사이트 토토카페는 충분히 기록 될 수 있습니다. 트윈 세포와 함께 플레이트 구동 방법을 사용하면 단일 세포와 플레이트 구동 방법을 사용할 때 필요한 더미 세포가 필요하지 않습니다.

연락처 토토사이트 토토카페

토토사이트 토토카페 사이트. Central Research Institute 계획 사무소 [담당 : Uchida, Kinoshita]
280 Higashi-Keigakubo 1-Chome, Kokubunji City, 도쿄 185-8601
전화 : 042-327-7777 (다이얼 인)

Elpida Memory Co., Ltd. IR & Market Communications GR. [담당자 : 타카 하시, 코바야시]2-2-1 Yaesu, Chuo-Ku, 도쿄 104-0028전화 : 03-3281-1648 (다이얼 인)

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