이 뉴스 릴리스 (제품 가격, 제품 사양, 서비스 세부 토토사이트 토토카페, 출시일, 연락처 토토사이트 토토카페, URL 등)의 토토사이트 토토카페는 공지 날짜입니다. 토토사이트 토토카페는 통지없이 변경 될 수 있으며 검색 날짜와 다를 수 있습니다. 최신 문의는 다음과 같이 문의하십시오.연락처 목록를 참조하십시오.

토토 사이트. (Shoyama Etsuhiko; Heighinafter : Hitachi)는 최근 Elpida Memory Co., Ltd. (사장 및 CEO : Sakamoto Yukio; Heignafter : Elpida)와의 합작 투자를 시작했습니다. Elpida Memory Co., Ltd. 0.4V에서.*1의 회로 방법을 제안했습니다. 이 방법은 2 개의 DRAM 셀을 사용하여 1 비트 토토사이트 토토카페를 저장하는 트윈 셀 시스템을 사용하여 토토사이트 토토카페 보유 시간이 향상되고 작동 전압이 낮은 고속 쓰기/읽기 작업이 가능합니다. 이 기술은 차세대 모바일 토토사이트 토토카페 장치의 저전력 메모리 장치에 용량을 늘리는 이점을 가진 DRAM을 적용하는 기본 회로 방법입니다.

  모바일 토토사이트 토토카페 장치의 메모리를위한 반도체 장치는 기능 및 컨텐츠가 증가함에 따라 메모리 용량을 높이고 전력 소비를 줄여 배터리 수명이 길어야합니다. 현재 SRAM (정적 랜덤 액세스 메모리)은 주로 휴대 전화 메모리에 사용됩니다.*2저전력 소비의 장점은 있지만 대형 셀 영역으로 인해 용량을 늘리고 전원 공급 장치 전압 감소를 제한하기가 어렵고 향후 모바일 토토사이트 토토카페 장치의 메모리 장치로서 문제가 있습니다. 대조적으로, DRAM은 용량을 높이는 데 적합하며 일부 모바일 토토사이트 토토카페 장치의 메모리로 채택되기 시작했습니다. 그러나 DRAM의 문제점은 메모리 셀로 쓰기 전압 (비트 라인 전압)을 줄이면 토토사이트 토토카페 보유 시간이 단축되고 메모리 셀 트랜지스터의 제어 전압 (워드 라인 전압)에 대한 고전압의 필요성이 전력 소비를 줄이기가 어렵다는 것입니다.

  이러한 배경으로 인해 Hitachi와 Elpida는 2 개의 DRAM 셀을 사용하여 1 비트 토토사이트 토토카페를 저장하는 트윈 셀 시스템을 사용하는 저전력 DRAM 회로 시스템을 제안했습니다. 제안 된 회로 시스템의 특징은 다음과 같습니다.

(1) 비트 라인 저전압 방법

  우리는 1 비트 토토사이트 토토카페를 저장하기 위해 2 개의 DRAM 셀을 사용하는 트윈 셀 시스템을 채택했습니다. 이 방법을 사용함으로써, 단일 셀 방법에서와 동일한 수준으로 DRAM 셀의 토토사이트 토토카페 보유 시간을 유지하면서 비트 라인 전압을 줄일 수 있음이 밝혀졌습니다.*3. 시뮬레이션 결과는 트윈 셀 어레이의 비트 라인 전압이 0.4V로 감소 되더라도 단일 셀 어레이의 비트 라인 전압과 비교할 수 있음을 보여 주었다. 이 결과는 DRAM 메모리 셀 어레이의 전력 소비가 약 60%감소 될 수 있음을 보여줍니다.

(2) 워드 라인 하강 전압 방법

 전통적으로 DRAM은 커패시터에 충분한 전하를 저장하기 위해 높은 워드 라인 전압이 필요했습니다 (높은 레벨). 트윈 셀 어레이는 '1'토토사이트 토토카페를 읽는 데 필요한 충전량을 줄여 단어 라인 전압이 줄어 듭니다*4. 시뮬레이션은 단어 라인 전압이 3V에서 1.8V로 감소 될 수 있음을 보여 주었다. 이 결과는 단어 라인 전압 생성기의 전력이 약 70%감소 될 수 있음을 보여줍니다.

이 기술은 낮은 작동 전압에서 개선 된 토토사이트 토토카페 유지 시간과 고속 쓰기/읽기 작동을 달성합니다. 시뮬레이션은 DRAM 메모리 셀 어레이의 전압 소비가 60% 감소 될 수 있고 워드 라인 전압 생성 회로의 전력은 70% 감소 될 수 있음을 보여 주었다. 이것은 차세대 모바일 토토사이트 토토카페 장치의 저전력 메모리 장치로서 용량 증가의 장점을 가진 DRAM을 적용하는 기본 회로 방법입니다.

  이 결과는 2005 년 6 월 16 일부터 교토에서 개최되는 통합 회로에 관한 국제 회의 인 VLSI Circuits의 2005 년 심포지엄에서 발표 될 것입니다.

용어

*1	DRAM : 동적 랜덤 액세스 메모리 A 메모리 유지 (새로 고정) 작업이 필요한 쓰기 및 읽기 메모리. 메모리 셀은 하나의 트랜지스터와 하나의 커패시터로 구성되며 충전 유무에 관계없이 '1'또는 '0'토토사이트 토토카페를 저장
*2	SRAM : 정적 임의의 액세스 메모리 A 메모리 유지 (새로 고정) 작동이 필요하지 않은 쓰기 및 읽기 메모리.
*3	트윈 셀 시스템에서 '1'및 '0'또는 '0'및 '1'의 보완 토토사이트 토토카페는 두 가지 메모리 셀에 저장되며 두 커패시터의 축적 전하의 차이가 읽습니다. 이것은 누출 전류의 효과가 작으며 토토사이트 토토카페 보유 시간이 기존의 단일 세포 DRAM보다 3 배 더 길다는 것을 보여줍니다.
*4	'1'및 '0'에 대한 토토사이트 토토카페 작성은 '1'토토사이트 토토카페를 읽는 데 필요한 충전량을 줄여 단어 선 전압이 줄어 듭니다. 또한, 커패시터의 공통 전극 (플레이트)을 구동함으로써 단어 라인 전압이 줄어든 '1'토토사이트 토토카페는 충분히 기록 될 수 있습니다. 트윈 세포와 함께 플레이트 구동 방법을 사용하면 단일 세포와 플레이트 구동 방법을 사용할 때 필요한 더미 세포가 필요하지 않습니다.

연락처 토토사이트 토토카페

토토 사이트. Central Research Institute 계획 사무소 [담당 : Uchida, Kinoshita]
280 Higashi-Keigakubo 1-Chome, Kokubunji City, 도쿄 185-8601
전화 : 042-327-7777 (다이얼 인)

Elpida Memory Co., Ltd. IR & Market Communications GR. [담당자 : 타카 하시, 코바야시]
2-2-1 Yaesu, Chuo-Ku, 도쿄 104-0028
전화 : 03-3281-1648 (다이얼 인)

8585_8644Adobe (R) Reader (R)필요합니다.