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올림피아토토토토 사이트. (본사 : Chiyoda-Ku, Tokyo; Shoyama Etsuhiko; Healinafter) 및 Renesas Technology Co., Ltd. 65 나노 미터 (NM) 생성에서 CMOS (보완 금속-산화물 반도체)의 전력 및 속도를 감소시키는 필름. 이것은 게이트 절연 필름과 게이트 전극 사이의 인터페이스에 매우 적은 양의 hafnium을 추가하여 누출 전류를 줄이고 캐리어 이동성을 향상시키는 기술입니다. 기존의 CMOS 트랜지스터 제조 기술과 호환되며 65Nm 세대 이후로 저전력 CMO를 실현하는 것을 목표로하는 기본 기술이 될 것으로 예상됩니다.

올림피아토토모바일 정보 장치의 핵심 인 System LSI의 개선 된 성능은이를 구성하는 CMOS 트랜지스터의 게이트 길이의 소형화와 게이트 절연 필름의 얇아 져야합니다. 그러나 게이트 단열 필름의 얇아지면 단열 함수가 방해하여 게이트 누출 전류가 발생하여 전력 소비가 증가하고 성능이 줄어 듭니다. 이 문제를 해결하는 방법으로서, 게이트 단열 필름은 기존 실리콘 옥시 니트리 드라이드 필름보다 높은 유전체 상수를 갖는 고 유전체 상수 물질을 사용하고 물리적으로 두꺼운 게이트 단열 필름을 사용하는 것으로 간주되고있다. 게이트 절연 필름을 두껍게하면 누출 전류가 감소 할 수 있지만, 트랜지스터의 임계 값 전압 (반도체 작동에 필요한 전압)이 높아서 전압을 낮추는 데 어려움이 있습니다.

올림피아토토이 배경으로 인해 Hitachi와 Renesas 기술은 낮은 누출 전류와 낮은 임계 값 전압을 결합한 게이트 절연 필름을 개발하고 있으며, 게이트 절연 필름과 게이트 전극 사이의 인터페이스에 매우 적은 양의 hafnium이 추가되는 구조를 개발했습니다. 개발 세부 사항은 다음과 같습니다.

(1) hafnium 추가에 의한 임계 값 전압 최적화

게이트 절연 필름과 게이트 전극 사이의 인터페이스에 하프 늄을 추가함으로써, 절연 필름과 전극 사이의 에너지 레벨의 차이 인 게이트 작업 기능은 제어 될 수 있으며 임계 값 전압을 제어 할 수있다. 이전에, 트랜지스터의 임계 값 전압을 감소시키기 위해 채널 영역의 불순물 농도가 증가되었지만, 이는 속도 (캐리어 이동성)를 방해했다. 이 결과는 채널 영역의 불순물 농도에 관계없이 임계 값 전압을 제어 할 수 있기 때문에 더 빠른 CMOS 트랜지스터가 증가 할 수 있습니다.

(2) 누출 전류 감소

올림피아토토매우 적은 양의 hafnium의 추가로 인한 작업 기능의 변화는 누출 전류를 감소시키는 것으로 밝혀졌다. 이것은 또한 저전력 소비를 향상시킵니다.

올림피아토토 이번에 얻은 결과를 바탕으로, 우리는 매우 적은 양의 hafnium이 추가 된 프로토 타입 CMOS 트랜지스터를 만들었고, 게이트 절연 필름 두께가 1.8 nm 인 LSTP (낮은 대기 전력) 장치에 대해 전력 소비가 일정하다는 것을 확인한 반면, 속도는 20%이상으로 향상되며, 1.2 NM LOP (낮은 운영 전력) 장치는 1.2 NM을 15%이상 증가 시킨다는 것을 확인했습니다.
올림피아토토이 시간의 결과는 Hafnium을 추가하여 게이트 전극의 작업 기능을 적극적으로 변경하는 새로운 개념 덕분에 저전력 CMOS 트랜지스터의 고속을 달성하는 트랜지스터 제조 기술입니다. 65nm 세대 이후 CMO의 게이트 전극의 기본 기술 일 수 있습니다.

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전화 : 03-6250-5554 (다이얼 인)

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