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Tohoku University의 Electrical Communications Research Institute (Director : Tohoku University, Tohoku University)와 토토 사이트.의 기본 연구소 (Director : Nagagabe Nobuyuki / Healinafter, Hitachi) Ohno Hideo 교수 그룹은 최근에 고게 금속 터널 마그네토리 스텐츠 (TMR) Element*1⁵A/CM²전기 자화 반전은 장치의 전류 밀도에서 요소를 통해 전류를 전달하여 자석 반전을 유발합니다*2실현되었습니다. 이 연구 결과는 차세대 대용량 MRAM*3(자기 적 임의의 액세스 메모리)를 실현하는 데 필수적인 자기 정보 작성의 힘을 크게 줄이고 동시에 높은 출력 판독 값을 허용하여 차세대 초대형, 고속 및 초대형 전력을 통한 차세대 초대 기가 부족 클래스 MRAM을 개발하는 새로운 경로를 열어줍니다.
                      이 결과는 "고기능, 초력 메모리 개발"프로젝트 (프로젝트 리더 : Ohno Hideo, Nano Spin Experiment Facility의 Ohno Hideo 교수, Tohoku University의 전기 커뮤니케이션 연구소와 제휴 한)에서 수행되었습니다.

hulk 토토사이트MRAM은 TMR 요소를 사용하여 녹음 및 재생산을 사용하는 고도로 통합, 고속 및 저전력 소비가 될 것으로 예상되는 비 휘발성 메모리 (RAM)이며 현재 국내 및 국제 기업에서 거대 공급 MRAM을 실용화하기 위해 개발 중입니다. 앞으로 미래의 기가비트 클래스 MRAM을 실현하기 위해 대용량과 저전력 소비를 달성하기 위해 해결해야 할 몇 가지 문제가 있습니다. 이 중에서, 자기 기록 된 정보의 쓰기 전류 (파워)를 줄이기위한 기술 개발은 주요 문제이며 기가비트 클래스 MRAM의 실현을 위해 TMR 요소의 쓰기 현재 밀도는 10⁶A/CM²다음을 달성해야했습니다. 그러나, 지금까지 관찰 된 TMR 요소를 작성하기 위해 전기 자화 반전에 필요한 전류 밀도는 10⁶A/CM²장치보다 더 많은 전류 전기 자화 반전이 달성되지 않았습니다.

hulk 토토사이트이러한 배경으로 인해 Ohno 교수, Tohoku University 및 Hitachi의 연구팀은 10⁵A/CM²우리는 장치의 현재 밀도로 인해 전기 자화 반전을 허용하는 TMR 요소를 성공적으로 개발했습니다. 개발 된 TMR 장치의 기능은 다음과 같습니다.

(1) TMR 요소는 강자성 필름입니다*4/단열 필름/강자성 필름, 그러나 산화 마그네슘을 절연 필름으로 사용하고 강자성 필름으로서 코발트 철 붕소를 사용함으로써, 높은 터널 자력 비율이 달성되어 전기 자기화 회전의 원동력을 증가시켰다. 따라서 임계 값 전류를 줄일 수 있습니다 (자화를 역전시키는 데 필요한 전류).

(2) 마그넷 강도가 약한 코발트 아이언 붕소를 적용함으로써 TMR 요소의 기록 층에 약한 자석 강도와 소량을 갖는 코발트 아이언 붕소를 적용하여 기록 층의 자화 회전에 필요한 에너지가 감소되어 자화 회전을 더 쉽게 만듭니다.

hulk 토토사이트결과적으로 임계 값 전류 밀도는 8.8 x 10⁵A/CM²우리는 단위의 전기 자화를 성공적으로 역전 시켰으며, 절연 필름으로 산화 산화물을 사용하여 전력 출력을 TMR 요소의 최대 5 배 더 높은 전력 출력을 결합하는 특성을 달성했습니다.
hulk 토토사이트이 연구 결과는 차세대 대용량 MRAM을 실현하는 데 필수적인 자기 정보의 쓰기 힘을 크게 줄이고, 읽기 신호의 높은 출력을 허용하여 차세대 초대 기가비트 클래스 MRAM의 개발을위한 새로운 경로를 열어주는 획기적인 기술이되어 높은 통합, 고속 및 초력 소비를 제공합니다.

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용어집

*1	터널 자석성 (TMR) 요소
	터널 자기 적 요소는 강자성 필름/단열 필름/강자성 필름의 3 층 구조로 형성되며, 검출 된 판독 전류는 필름의 스태킹 방향에 수직입니다. 두 개의 강자성 필름의 자석이 병렬 방향을 갖고 병렬 상태를 가질 수있는 현상을 가질 수있는 현상을 가질 수 있으며, 이는 항구 평행 상태에서 전기 저항이 극적으로 변화하는 평행 상태를 갖고, 전기 저항의 비율 (%)은 평행 상태에 대한 전기 저항성의 비율을 자성성 비율이라고한다. 자기장을 적용하는 동안 강자성 필름의 한쪽의 자석의 방향을 변화시키고, 그 당시 TMR 요소의 전기 저항을 측정함으로써 자기 저항율은 관찰된다.
*2	전기 자화 반전
	일반적으로, 자석의 역전 (자석화) (자석의 북쪽 및 남쪽 극의 방향을 역전)은 자기장이 외부에서 적용될 때 발생하지만, 전기 자화 반전은 1996 년 미국에 의해 발생할 때 자력이 발생하는 역전 현상이 미국에 의해 제안 된 자력 역전 현상이며, 전류가 발생할 때, 전류가 발생합니다. 전기 자화 반전은 많은 장치에서 관찰되었습니다. TMR 요소의 2 개의 강자성 필름의 자석 (자화)이 평행 할 때, 전류가 TMR 요소의 상단에서 하단 (양수 방향)을 적용 할 때, 자석 (자화)의 배열은 안티 아탈렐을 전환합니다. 전류 방향이 반전되면, 안티 파랄 랜드에서 병렬로 전환이 배치되어 전기 자화가 역전됩니다.
*3	MRAM
	TMR 요소를 사용하여 기록/재생할 수있는 비 휘발성 메모리 (RAM)는 높은 통합, 고속 및 저전력 소비를 제공 할 것으로 예상됩니다. 자기 정보는 메모리를 구성하는 배선을 통해 전류를 전달함으로써 공간적으로 생성 된 자기장을 사용하여 TMR 요소에 기록됩니다. 이 자기장은 강자성 필름 중 하나의 자석 (자화)의 방향 만 역 만되며, 예를 들어, 상부 및 하부 강자성 층의 자화 방향이 평행하고 항구 란 렐이 각각 "0"정보 및 "1"정보로 사용되는 상태. 자기 정보의 판독 값은 "0"및 "1"에 따라 변경되는 TMR 요소의 저항을 감지하고 그것이 낮은 전기 저항 상태 (평행 "0"상태)인지 또는 높은 전기 저항 상태 (항-팔렐 "1"상태인지 확인함으로써 수행됩니다.
*4	Ferromagnetic 필름
	FERROMAGNETISM은 자석을 끌어들이는 강력한 자기 속성입니다. 이러한 특성을 나타내는 재료를 강자성 재료라고하며 철, 코발트, 니켈 등을 포함합니다. 강자성 필름은 얇은 강자성 물질로 만든 필름입니다.

연락처 정보

토토 사이트. Central Research Institute 계획 사무소 [담당 : Uchida, Kinoshita]
280 Higashi-Keigakubo 1-Chome, Kokubunji City, 도쿄 185-8601
전화 : (042)327-7777 (Direct)

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