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 토토 사이트. (본사 : Chiyoda-Ku, Tokyo; Shoyama Etsuhiko; Healinafter)와 Renesas Technology Co., Ltd. 1.5V의 전원 공급 장치 전압에서 트랜지스터 및 확인 된 토토사이트 들어가는법 작동. 이 결과는 세계에서 가장 작은 전류 및 전압으로 다시 작성할 수있는 독특하게 개발 된 위상 변경 필름의 개발과 1.5V의 낮은 전압에서도 정확하게 다시 작성할 수있는 회로 기술로 인한 것입니다. 이를 통해 CMOS-logic에 해당하는 트랜지스터로 위상 변경 토토사이트 들어가는법를 처음으로 작동시켜 다음 세대의 임베디드 마이크로 컴퓨터에 대한 혼합 토토사이트 들어가는법에 적용 할 수있는 도어를 열게됩니다.

  최근 정보 장비, 가정 기기 및 차량 내 장치의 기능 개선으로 임베디드 장치를위한 마이크로 컴퓨터는 비 휘발성 토토사이트 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법를 결합하여 프로그램, 데이터 등을 저장하는 온칩 비 휘발성 토토사이트 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법와 함께 도입되었습니다. 또한 미래에도 마이크로 컴퓨터의 성능을 향상시키기위한 수요와 함께 저항력을 향상시킬 것입니다. 혼합 스토리지가 장착 된 비 휘발성 토토사이트 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법. 이러한 요구에 부응하여, 위상 변화 기억은 고도로 고도로 통합 된 온칩 비 휘발성 토토사이트 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법의 차세대가 고속으로 읽고 읽을 수 있으며, 높은 재 작성 저항 및 통합 측면에서 유리합니다.
 위상 변경 토토사이트 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법는 필름을 통해 흐르는 전류의 양의 차이에 따라 1,0 정보가 저장되고 읽는 방법으로, 위상 변화 필름이 비정질 상태 (높은 저항) 및 열로 인해 전기 저항이 다른 결정질 상태 (낮은 저항)에 있다는 사실을 활용합니다. 장치를 비정질하게 만들려면 전류가 통과하여 장치가 녹은 후 장치를 식히기 위해 전달됩니다. 또한, 결정화를 위해, 결정화 온도는 용융점 아래에서 유지된다. 기존의 위상 변화 필름은 약 1MA의 큰 전류가 비정질이기 때문에 전류의 양을 증가시킬 수있는 양극성 트랜지스터가 적용되었습니다. 그러나 앞으로, 내장 장치의 마이크로 컴퓨터에 대한 혼합 토토사이트 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법 들어가는법로 논리 (로직) 회로와 호환되는 MOS 트랜지스터를 사용하는 것이 필수적입니다.

  이 배경에 따라 토토 사이트와 Renesas 기술은 공동으로 세계에서 가장 작은 전류 및 전압으로 다시 작성할 수있는 위상 변경 재료를 사용하여 사내에서 개발 된 프로토 타입 MOS 위상 변경 토토사이트 들어가는법 셀을 만들었습니다.

(1)	저 전류 재 작성 토토사이트 들어가는법경 필름 개발 :우리는 약 200µA의 낮은 전류가있는 비정질 상태로 다시 작성할 수있는 위상 변경 재료를 개발했으며, 전원 공급 장치 전압이 1.5V 인 MOS 트랜지스터를 사용하여 위상 변경 토토사이트 들어가는법 셀을 실현했습니다.
(2)	저토토사이트 들어가는법 쓰기 보상 회로 :전통적으로, 위상 변경 토토사이트 들어가는법 셀에 대한 데이터 쓰기는 비트 라인에 의해 수행됩니다*1의 전압 비정질 또는 결정질 상태로 변경되었습니다. 낮은 전류 및 저전압으로 쓸 수있는 새로운 토토사이트 들어가는법경 필름에서는 비트 라인 대신 워드 라인이 사용됩니다.*2정확한 데이터 작성을 달성합니다.
(3)	읽기 수명 확장 :위상 변화 토토사이트 들어가는법에서 녹음 필름은 연속 판독 작업으로 인해 열을 생성하여 서면 저장된 데이터의 손실을 초래합니다. 이 문제를 해결하기 위해, 우리는 판독 중에 토토사이트 들어가는법 셀에 액세스하지 않는 "유효 액세스 카운트 감소 방법"이라는 회로 기술을 개발하고 별도의 버퍼에서 데이터를 읽고 판독 수명을 500 번 향상 시켰습니다.

 이러한 개발 기술을 사용하여 130 나노 미터 CMOS 프로세스를 사용하여 토토사이트 들어가는법 셀을 프로토 타입하고 토토사이트 들어가는법 작동 실험을 수행했으며, 1.5V의 전원 공급 장치 전압에 문제없이 읽기 및 쓰기 작업을 수행 할 수 있음을 확인했습니다. 이로 인해 예상 128KB 토토사이트 들어가는법 모듈 영역이 기존 혼합 비 휘발성 토토사이트 들어가는법의 3 분의 2 미만이되었습니다.
이 기술은 차세대부터 높은 통합 및 저렴한 위상 변화 토토사이트 들어가는법를 실현하는 방법을 열어 주며 향후 마이크로 컨트롤러의 추가 발전을 지원할 기술로 기대할 수 있습니다.

  이 콘텐츠는 9 월 18 일부터 미국 산호세에서 열린 맞춤형 통합 회로 컨퍼런스에서 발표되었습니다.

<note>
*1	비트 라인 : 2 차원 배열 토토사이트 들어가는법 배열에서 데이터를 읽거나 쓰는 신호 라인. 비트 라인 및 단어 라인*2의 교차점에 있습니다.
*2	워드 라인 : 2 차원 토토사이트 들어가는법 셀 배열에서 한 행을 선택하기위한 제어 신호 라인. 선택된 주소에 해당하는 단어 라인의 전압을 증가시킴으로써 토토사이트 들어가는법 셀의 쓰기/읽기가 가능해집니다.

연락처 정보

토토사이트 들어가는법 사이트. Central Research Institute 계획 사무소 [담당 : Uchida, Kinoshita]
280 Higashi-Keigakubo 1-Chome, Kokubunji City, 도쿄 185-8601
전화 : (042)327-7777 (다이얼 인)

Renesas Co., Ltd., 기업 계획 부서, 홍보 및 홍보 부서 [책임 : SATO]2-4-1 Marunouchi, Chiyoda-Ku, 도쿄 100-6334 (Maru Building)전화 (03) 6250-5554 (다이얼 인)

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