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청소년 토토사이트 추천토토 사이트. (본사 : Chiyoda-Ku, 도쿄 / 임원 회장 : Shoyama Etsuhiko / Healinafter, Hitachi)와 Renesas Technology Co., Ltd. (헤드 오피스 : Chiyoda-Ku, Tokyo / President & Ceo : Ito Tatsu, 이하 Tatsu, Renesas Technology)는 공동 체계적인 메모리를 만들었습니다. 1.5V 및 낮은 전류 100µA. 이 결과는 MOS 트랜지스터 (MOS 위상 변화 메모리)를 사용한 구조와 함께 전류 및 저전압으로 다시 작성할 수있는 위상 변화 필름의 개발을 통해 달성되었습니다. 위상 변경 메모리는 차세대 대용량 또는 온칩 비 휘발성 메모리의 후보가 될 것으로 예상되지만, 낮은 전류로 다시 작성할 수있는 1.5V 작동으로 MOS 위상 변화 메모리를 달성하면 소형화 및 전력 소비의 경로가 열릴 것으로 예상됩니다.

청소년 토토사이트 추천정보 장비, 가정 기기 및 차량 내 장치와 같은 임베디드 장치 용 마이크로 컴퓨터는 프로그램 및 데이터를 저장하기위한 비 휘발성 메모리 통합의 수를 증가 시켰습니다. 미래에, 내장 된 장치의 마이크로 컴퓨터가 훨씬 더 널리 적용된 필드가되면서, 혼합 된 비 휘발성 메모리에 대한 재 작성 저항, 개선 된 통합 및 전력 소비 감소가있을 것입니다.이 수요에 대한 응답으로, 위상 변화 기억은 차세대 칩 내 비효율적 인 메모리의 차세대 메모리가 될 것으로 예상됩니다. 통합에 유리합니다.

  위상 변경 메모리는 위상 변경 필름이 열로 인한 전기 저항이 다른 비정질 상태*1 (높은 저항) 및 결정질 상태 (낮은 저항)를 갖는다는 사실을 사용하며, "1"및 "0"의 정보로 필름을 통해 흐르는 전류의 양의 차이를 저장하고 읽습니다. 비정질 위상 변화 필름 결정의 경우, 약 1mA의 큰 전류가 일반적으로 필요하며, 많은 양의 전류를 갖는 양극 트랜지스터가 적용되었습니다. 대조적으로, Hitachi와 Renesas 기술은 이미 1.5V의 전원 공급 전압을 갖는 MOS 트랜지스터와 함께 작동하는 위상 변화 메모리 셀을 성공적으로 생산하고 200μA의 전류를 미세 작용자에 대한 논리 CMOS 프로세스와 매우 일치하는 위상 변화 메모리로서 다시 작성합니다.
청소년 토토사이트 추천이번에는 저전력 소비 성능이 필요한 영역으로 위상 변경 메모리의 응용 범위를 확장했으며 타당성을 더욱 향상시키는 기술로서 1.5V의 동일한 전원 공급 전압으로 작동하는 위상 변경 메모리를 성공적으로 만들었으며 재 작성 전류를 100µa로 1/2로 줄였습니다.
청소년 토토사이트 추천이 결과는 고유하게 개발 된 저전압 및 저전압 재 작성 가능한 상 변화 필름을 통해 달성되었으며, 이는 위상 변화 필름 재료 중 하나로 사용되는 GESBTE (Germanium, Antimony, Tellurium)에 산소 첨가를 제어하도록 설계되었습니다. 산소를 추가하면 위상 변화 필름의 저항 값을 최적으로 제어하여 재 작성 중에 과도한 전류 흐름을 방지 할 수 있습니다. 따라서 다시 쓰기 전류를 줄일 수 있습니다.

청소년 토토사이트 추천이 기술을 사용하여 130 나노 미터 CMOS 프로세스를 사용하여 메모리 셀을 프로토 타입으로 만들었고, 1.5V의 전원 공급 장치 전압에서 100 µA의 전류로 쓰기 작동을 확인했습니다. 쓰기 전류를 줄임으로써, 쓰기에 필요한 셀당 전력 소비량은 약 1/2로 줄었습니다. 또한, 구동 출력을위한 셀과 MOS 트랜지스터를 구성하는 MOS 트랜지스터의 게이트 폭이 감소 될 수 있으며, 이는 또한 메모리 셀의 영역과 구동 회로의 영역을 감소시킨다.

청소년 토토사이트 추천이 기술은 저렴한 비용, 저전력 소비, 차세대와 그 이후의 소규모 및 고도로 통합 된 요소를 결합한 위상 변화 메모리를 실현하는 주요 단계를 밟을 것이며, 미래에 내장 된 장치를위한 마이크로 컨트롤러의 추가 발전을 지원할 기술로 기대할 수 있습니다.

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Note

*1	비정질 상태 : 고체를 구성하는 원자, 분자 등은 결정과 같은 규칙적인 구조가없는 비정질 상태에 있습니다. 비정질이라고도합니다.

연락처 정보

토토 사이트. Central Research Institute 계획 사무소 [담당 : Uchida, Kinoshita]
280 Higashi-Keigakubo 1-Chome, Kokubunji City, 도쿄 185-8601
전화 042-327-7777 (다이얼 인)

Renesas Co., Ltd., 기업 계획 부서, 홍보 및 홍보 부서 [SATO]
2-4-1 Marunouchi, Chiyoda-Ku, 도쿄 100-6334 (Maru Building)
전화 03-6250-5554 (다이얼 인)

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