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2006 년 6 월 13 일토토 사이트토토 사이트 Chemical Industries, Ltd
차세대 메모리 장치를위한 초고속 토토 사이트사이트 디오스 상수 필름 재료 및 배선 기술 개발
상대적인 유전 상수 24, 800 ° C로의 내열성 향상 및 배선 공정이 단순화 된 필름 강도의 2 배
*1증가하고 있으며, 이로 인한 신호 지연과 전력 소비가 문제가되고 있습니다 따라서 최소 처리 치수가 50nm 이하의 차세대 메모리 장치에서는 요소와 배선 토토 사이트의 상대 유전 상수가 필요합니다*2기생 커패시턴스를 줄이기 위해 그러나 일반적으로 단열 필름의 유전 상수가 낮을수록 필름 강도 및 내열이 낮아지고,이를 사용하려면 복잡하고 비싼 과정이 필요합니다 지금까지, 토토 사이트 사이트 사이트 사이트 사이트 사이트 사이트와 토토 사이트 사이트 사이트 사이트 사이트 사이트 사이트 Chemical은 이전에 코팅 형 저 유전체 필름 재료 (29 상대 유전 상수)와이를 사용하는 배선 공정을 실질적으로 사용했지만 25 이하의 상대 유전체 상수를 갖는 "Ultra"저 유전체 필름의 실질적인 사용을 위해 재료와 프로세스의 개선이 필요했습니다
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(1) 높은 평평성, 필름 강도 및 내열을 결합한 코팅 유형 절연 필름 재료 |
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(2) 배선 프로세스의 단순화 |
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용어집 |
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기생 능력이것은 인접한 배선과 interrayer 단열 필름이 그들 토토 사이트에 끼워질 때 발생하는 전기 용량은 커패시터 역할을합니다 배선 간격이 작을수록 기생 커패시턴스가 커집니다 |
*2 |
관련 유행성토토 사이트>전기장이 외부에서 적용될 때 재료의 원자 (또는 분자)가 어떻게 반응하는지에 의해 결정되는 상수 상대 유전 상수가 낮을수록 기생 커패시턴스가 낮아집니다 |
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연락처 정보
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토토 사이트 Central Research Institute 계획 사무소 [담당 : Kinoshita, Hanawa]280 Higashi-Keigakubo 1-Chome, Kokubunji City, 도쿄 185-8601전화 : 042-327-7777 (다이얼 인)
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