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 토토 사이트. (본사 : Chiyoda-Ku, 도쿄 / 수석 회장 : Hitachi로 언급) 및 Renesas Technology Co., Ltd. 기술 "90Nm 프로세스 생성의 시스템 LSI를 사용하여 칩 내부의 전원 공급 장치 노이즈 분포를 시각화하는 기술.
이 기술은 시스템 LSI 내의 여러 초소형 볼트 미터 회로를 통합하고 1MV의 정확도로 미슐랭토토 공급 장치 전압의 변동을 관찰하므로 시스템 LSI가 작동하는 동안 칩 내부의 미슐랭토토 공급 장치 노이즈를 측정 할 수 있습니다. 미슐랭토토 공급 장치 전압의 감소는 새로운 기술을 사용하여 관찰 된 결과를 분석하고 다음 모델의 시스템 LSI의 미슐랭토토 공급 장치 설계로 다시 얻은 지식을 공급함으로써 LSI의 성능이 저하되기 때문에 설계 효율성과 성능을 향상시킬 수 있습니다.

  정보 장치의 핵심 인 System LSI는 전통적으로 장치를 구성하는 요소를 소형화하여 더 높은 기능성과 성능을 달성하는 요소를 소형화하여 회로 규모의 증가와 개선 된 작동 주파수를 달성했습니다. 그러나 LSI가 90nm 생성의 프로세스를 사용하여 회로 스케일이 증가함에 따라 LSI 미슐랭토토 공급 장치 설계의 복잡성은 새로운 과제입니다.
  예를 들어, LSI 내에서 전력 소비가 로컬로 농축되는 핫스팟은 설계 시점에서 내부 미슐랭토토 공급 전압이 예상보다 더 많이 떨어지게하여 작동 성능이 저하 될 것이라는 우려가 있습니다. 미슐랭토토 공급 장치 설계가 기존 방법의 확장으로 더 많은 운영 마진으로 설계된 경우, 운영 마진은 운영 성능의 절충으로 LSI 성능의 개선을 방해합니다. 시스템 LSI의 회로 규모가 향후 더욱 증가함에 따라 시스템 LSI의 설계 효율성과 높은 성능을 모두 달성하기 위해 시스템 LSI 내부의 미슐랭토토 공급 장치 상태를 정확하게 파악하고 문제를 분석하며 다음 모델의 미슐랭토토 설계에서 사용하는 것이 필수적입니다.

  이 문제를 충족시키기 위해 Hitachi와 Renesas Technology는 실제 애플리케이션 프로그램이 실행되는 동안 실시간으로 칩 내부의 전원 공급 장치 노이즈를 측정하고 시각화하기 위해 시스템 LSI 내부의 여러 초고속 전압계 회로를 통합하는 "칩 전원 공급 장치 노이즈 측정 기술"을 개발했습니다.

 새로 개발 된 "온칩 전원 공급 장치 노이즈 측정 기술"의 기능은 다음과 같습니다.

(1) 주파수 변조 유형 전압 측정 기술

  높은 정확도로 시스템 LSI 내부의 작은 미슐랭토토 공급 장치 노이즈를 측정하려면 측정 측에 노이즈 면역이 높아야합니다. 이 기술은 링 발진기입니다*를 사용하십시오 소형 전압 변동을 주파수 변동으로 변환하고 칩 외부의 고성능 측정 기기를 사용하여 측정합니다. 주파수 조절 방법을 사용함으로써 측정 시스템의 노이즈 면역이 개선되어 대략 5NS의 시간 분해능으로 고 정밀도 측정이 가능합니다.

(2) 기준 전압으로서 측정 지점에서지면 전위를 사용한 미슐랭토토 공급 노이즈 측정

  미슐랭토토 공급 장치 전압의 변동을 측정하려면 기준 전압이 필요하지만 시스템 LSI 내부에는 공통 기준 전압이 없습니다. 따라서,이 기술에서, 측정 지점에서 회로의 접지 전위는 로컬 기준 전압으로 사용되며 내부 회로에 적용되는 미슐랭토토 공급 전압의 변동이 측정되므로 내부 회로에 적용되는 미슐랭토토 공급 전압에서 상당한 변동을 얻습니다.

(3) 다수의 초소형 볼트 밀집을 설치하여 칩에서 미슐랭토토 공급 장치 노이즈 분포 시각화

  링 발진기로 구성된 볼트 미터 회로는 매우 작으며 LSI에 장착 할 수있을뿐만 아니라 각 전압계에 의해 생성 된 신호를 칩의 외부로 보내는 앰프 회로를 공유하여 작은 영역 측정 회로를 달성합니다. 또한 다중 전압계 회로로 측정 된 데이터를 사용하여 칩 내의 미슐랭토토 공급 장치 노이즈 분포를 생성하고 시각화 할 수 있습니다.

  이번에 개발 된 기술을 사용함으로써 칩 내부의 미슐랭토토 공급 장치 노이즈는 작동 중에 쉽고 정확하게 측정 할 수 있습니다. 이를 통해 칩 내부의 미슐랭토토 공급 장치 전압 상태를 정확하게 파악하고 문제를 분석하고 다음 모델 시스템 LSI의 미슐랭토토 공급 장치 설계에서이를 사용하여 시스템 LSI의 성능이 훨씬 높아집니다.

   이 결과는 2006 년 6 월 15 일부터 미국 하와이 호놀룰루에서 열린 VLSI 서킷 심포지엄에서 발표되었습니다.

용어집

*	링 오실레이터 : 링 모양으로 인버터 (신호 인버터)의 홀수 단계를 연결하여 제작 된 회로이며 전압에 따라 일정한 주파수에서 진동의 특성을 갖습니다.

연락처 정보

토토 사이트. Central Research Institute 계획 사무소 [담당 : Kinoshita, Hanawa]
280 Higashi-Keigakubo 1-Chome, Kokubunji City, 도쿄 185-8601
전화 : 042-327-7777 (다이얼 인)

Renesas Co., Ltd., 기업 계획 부서, 홍보 및 홍보 부서 [담당 : SATO]
2-4-1 Marunouchi, Chiyoda-Ku, 도쿄 100-6334 (Maru Building)
전화 : 03-6250-5554 (다이얼 인)

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