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2007 년 2 월 13 일

세계에서 가장 작은 0.05mm Square에서 "비접촉 분말 IC 칩"의 작동을 성공적으로 확인했습니다

기존 프로토 타입 칩의 면적 비율에 따라 9 번째 크기 감소를 달성하여 종이에 삽입 할 수 있습니다

2166_2315*1와 동일한 기능을 유지하면서 더 작게 만들어졌습니다. 이 비접촉식 IC 칩은 90nm (나노 미터)의 미세 SOI 기술로 만들어집니다.*2를 채택함으로써 달성되었습니다 전자 빔 드로잉을 사용한 메모리 기술 사용 및 2006 년 2 월 프로토 타입 IC 칩이 0.15mm 제곱 및 7.5μm 두께로 출시되었습니다*3와 비교 하여이 지역은 9 위로 줄었습니다. 이 제품의 크기를 크게 줄임으로써 상품권 및 다양한 인증서와 같은 증권을 인증하는 것과 같은 광범위한 목적으로 사용할 수 있으며이 초소형 기술은 RFID 태그입니다*4의 새로운 분야를위한 길을 열어줍니다.

 "MU-Chip"은 칩의 외부 안테나를 사용하여 무선 파 (2.45GHz 마이크로파)를받는 세계에서 가장 작은 비접촉식 IC 칩이며 에너지 대신 고유 한 128 비트 (38 자리) 숫자를 전달합니다. 제조 공정에서 ID (식별 번호) 데이터는 ROM (읽기 전용 메모리)에 기록되므로 숫자를 다시 작성할 수 없어 진정성이 높습니다. 작은 크기, 높은 진정성 및 비접촉식과 같은 이러한 기능을 사용하여 인터넷 기술과 결합함으로써 보안, 운송, 놀이, 추적 성 및 물류 관리를 포함한 다양한 분야에서 사용할 수 있습니다.
  토토사이트 는 "MU-Chip"의 응용 프로그램 필드를 더욱 확장하기 위해 노력해 왔으며 기능을 유지하면서 통신 거리를 늘리고 안테나 크기를 줄이기 위해 노력하고 있습니다. 이 칩은 매우 작고 얇기 때문에 상품권 및 다양한 인증서와 같은 유가 증권과 같은 광범위한 목적으로 사용할 수 있습니다. 이번에 개발 된 0.05mm 정사각형 IC 칩의 특징은 다음과 같습니다.

(1) ID 데이터를 저장하는 작은 ROM

토토사이트 드래곤 먹튀소형 영역 회로에 ID 데이터 (128 비트)를 저장하기 위해 하나의 트랜지스터가있는 1 비트 메모리 셀을 구현할 수있는 ROM이 사용됩니다. 각각의 ID 데이터는 칩 제조 중 메모리 셀에서 배선의 유무에 따라 저장되므로 쓰기 회로가 필요하지 않으므로 칩을 더 작게 만듭니다. 또한, 데이터는 배선의 유무에 따라 결정되므로 완성 된 메모리는 내구성이 뛰어나서 주변 온도 및 소음과 같은 가혹한 환경에서도 안정적으로 사용할 수 있습니다. 또한, 미래의 LSI의 소형화에 쉽게 적응할 수 있습니다.

(2) 전자 빔 드로잉 장치를 사용하여 ROM에 ID 데이터를 작성

토토사이트 드래곤 먹튀전자 빔 드로잉 장치는 메모리 셀에서 배선의 존재 또는 부재로 ID 데이터를 작성하는 데 사용됩니다. ID 데이터는 모든 RFID 칩에 대해 다르기 때문에 실리콘 웨이퍼의 ID 데이터에 해당하는 배선 패턴을 그릴 때마다 새 마스크를 준비하는 것이 효율적이지 않습니다. 따라서, 우리는 전자 빔 드로잉 장치를 사용하여 실리콘 웨이퍼에 각 칩에 대해 직접 다른 배선 패턴을 그려서 한 번만 사용되는 마스크를 사용하지 않기로 결정했습니다. 일반적으로, 느린 처리 ​​처리량은 전자 빔 드로잉 장치의 경우 도전입니다. 하나의 RFID 칩이 0.05mm 정사각형에서 매우 작다는 사실을 고려할 때, 우리는 10,000 개의 칩이 하나의 그룹으로 만들어지고 약 5mm 정사각형 칩으로 간주되고 하나의 전자 빔 도면에서 처리되는 방법을 개발했습니다. 이를 통해 Ultra-Small 0.05mm 정사각형 칩을 하나씩 처리하는 것보다 약 50 배 빠른 처리가 가능합니다.

  이 주요 소형화는 웨이퍼 당 얻을 수있는 칩의 수를 크게 증가 시켰으며, 생산성은 0.15mm 정사각형 IC 칩에 비해 9 배, 현재 상업적으로 이용 가능한 "MU 칩"(0.4mm 제곱)보다 60 배 더 높을 것으로 예상됩니다.

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*1

"Mu-Chip"은 토토 사이트.의 등록 상표입니다.

*2

절연체의 실리콘에 대한 약어. SOI 공정에서, 절연 층 및 단결정 실리콘 층은 먼저 실리콘 기판 (SOI 기판이라고 함)에 형성되고,이 SOI 기판에 트랜지스터가 형성된다. 트랜지스터 사이의 거리가 감소하더라도 요소를 분리 할 수있어 칩을 소형화하는 데 효과적입니다.

*3

제곱이 0.15mm, 두께가 7.5μm 인 양면 전극 타입 IC 칩, ISSCC2006에서보고되었습니다. 이것은 현재 대량 생산중인 제품과 다릅니다.

*4

무선 주파수 식별을위한 약어이며, 무선 파도를 사용하여 인식하고 증명하는 자동 무선 인식입니다.

연락처 정보

토토 사이트. Central Research Institute 계획 사무소 [담당 : Kinoshita, Hanawa]
1-280 Higashi-Keigakubo, Kokubunji City, 도쿄 185-8601
전화 : 042-327-7777 (Direct)

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