게이트 길이가 20 나노 미터 인 초박형 트랜지스터에서
무작위 전신 소음으로 인해
실험적으로 임계 값 전압 변동의 효과를 확인

임계 값 전압이 평균 값의 10 배에 달하는 표준
0.1% 우연한 상태로 분명히 존재합니다

토토사이트 자유게시판토토 사이트. (이사 및 CEO : Kawamura Takashi / Heencialinafter, Hitachi) 및 IBM (Head Office : Armonk, New York, New York; Chairman : NYSE : IBM)은 게이트 길이 (NM) 레벨을 가진 초기 트랜지스터에서 처음으로 확인한 것은 처음으로 확인되었습니다. 트랜지스터 작동에 필요한 전압)은 원자 수준에서 약간의 구조적 결함으로 인해 평균값의 10 배 이상의 폭에 따라 다릅니다. 이것은 랜덤 전신 노이즈 (RTN)라는 현상으로 인해 발생하지만,이 실험의 결과는 향후 조치가 취해지지 않으면 최첨단 프로세스가 사용될 것이며, 정적 랜덤 액세스 메모리 (SRAM)에서 RTN의 영향으로 인해 LSI 자체가 작동하지 않을 것이며, MEMARY 셀이 다중 트랜지 스터를 결합하여 REN의 영향을받지 않기 때문에 LSI 자체가 작동하지 않을 것임을 시사합니다. 이것은 회로 라인 폭이 22nm 인 차세대 반도체 장치의 개발에서 RTN 메커니즘을 분석하고 평가하는 것의 중요성을 보여주는 성과입니다.

토토사이트 자유게시판높은 성능 및 소규모 IT 관련 제품의 배경으로 회로 라인 너비가 32nm 및 22nm 인 차세대 반도체 장치의 연구 및 개발이 진행 중입니다. 2008 년 3 월부터 Hitachi와 IBM은 2008 년 3 월 이후 32 개 나노 미터부터 반도체의 특성화에 대한 기본 연구를 진행하고 있습니다.
토토사이트 자유게시판공동 연구 팀 이이 시점에 중점을 둔 RTN으로 알려진 현상은 전자가 트랜지스터를 구성하는 게이트 절연 필름에 존재하는 원자 수준의 구조 결함에 의해 캡처되거나 방출된다는 것입니다. 트랜지스터 불안정 작동의 요인으로 오랫동안 알려져 왔지만, LSI의 작동 전압 마진을 수용 할 수 있었기 때문에 RTN으로 인한 임계 값 전압의 변동의 양은 LSI의 중요한 문제로 해결되지 않았습니다. 그러나 트랜지스터가 미래에 더욱 소형화되고 게이트 길이가 20 나노 미터에 도달함에 따라 RTN을 유발하는 구조적 결함의 존재 확률은 감소하지만 RTN으로 인한 변동의 양은 게이트 영역에 반비례하기 때문에 증가 할 것으로 예상되며, 더 이상 LSI 작업을 수용 할 수 없을 것으로 예상됩니다.

토토사이트 자유게시판따라서 두 회사는 IBM의 최첨단 프로세스 기술과 Hitachi의 분석 기술을 결합하여 20nm 수준에서 초 미세 트랜지스터를 생산하고 약 15,000 개의 실제 장치를 사용하여 RTN 평가 실험을 수행했습니다. 이 평가 실험은 다음을 밝혀 냈습니다.

(1) RTN으로 인한 임계 값 전압의 변동성은 정규 분포에서 예상되는 것보다 분포의 꼬리에서 더 큰 진폭을 갖는다는 것을 발견했습니다. 구체적으로, 1000 개의 트랜지스터 중 하나는 70 mV의 폭 또는 0.1%의 변화를 나타내는 반면, 임계 값 전압의 평균 변동 값은 여러 MV입니다.
(2) 위에서 언급 한 확률은 향후 SRAM 설계에 대한 조치가 취해지지 않으면 LSI 자체가 작동하기 어려울 것임을 시사합니다.

토토사이트 자유게시판이 평가의 결과는 회로 라인 폭이 22nm 인 차세대 반도체 장치의 개발에서 RTN 메커니즘을 분석하고 평가하는 것의 중요성을 보여줍니다.

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